温度升高导致三极管参数发生（）变化。A、Icbo、β、Ube都增大B、Icbo、β、Ube都减小C、Icbo和β增大、Ube减小D、Icbo减小、β和Ube增大

温度升高导致三极管参数发生（）变化。

  • A、Icbo、β、Ube都增大
  • B、Icbo、β、Ube都减小
  • C、Icbo和β增大、Ube减小
  • D、Icbo减小、β和Ube增大

相关考题：

随着温度的升高,三极管的参数:() A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变
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温度升高导致三极管参数发生()变化。 A、ICBO，β，UBE都增大B、ICBO，β，UBE都减小C、ICBO，β增大，UBE减小D、β，UBE增大，ICBO减小
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温度上升时,半导体三极管的() A、ICBO增大，UBE下降B、UBE增大，ICBO减小C、ICBO和UBE增大D、ICBO和UBE减少
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环境温度升高时双极型三极管的ICBO,β,Ube都升高。() 此题为判断题(对，错)。
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当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大，UBE增大，ICBO增大B、b减小，UBE减小，ICBO减小C、b增大，UBE减小，ICBO增大D、b减小，UBE增大，ICBO减小
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三极管正常工作时，当温度T增高时，则Icbo将增大。此题为判断题(对，错)。
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晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（）。A.β和ICBO增加，UBE减小B.β和UBE减小，ICBO增加C.β增加，ICBO和UBE减小D.β、UBE和ICBO都增加
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晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。A．β增加，ICBO和UBE减小B．β和ICBO增加，UBE减小C．β和UBE减小，ICBO增加D．β、ICBO和UBE都增加
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温度减小时，使晶体三极管参数发生如下变化（）。A、VBE减小，β增加，ICBO增加B、VBE减小，β减小，ICBO减小C、VBE增加，β增加，ICBO增加D、VBE增加，β减小，ICBO减小
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温度升高时，三极管参数正确变化的是（）。A、Icbo，Ube，β均增大B、Icbo，Ube，β均减小C、Icbo及β增大，Ube下降D、Icbo及β下降，Ube增大
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常温下，硅晶体三极管的UBE 约为0.7V，且随温度升高而减小。（）
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三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为（），β为电流放大倍数。 A、Iceo＝Icbo；B、Iceo＝（β＋1）Icbo；C、Iceo＝βIcbo；D、Iceo＝（β－1）Icbo。
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每增加（）三极管的Icbo就增大1倍。A、1℃B、5℃C、10℃D、15℃
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温度升时，BJT的电流放大系数（），反向饱和电流ICBO（），发射结电压UBE（）。
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温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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温度每升高10℃，ICBO、ICEO就约增大2倍。
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当温度升高时，三极管的参数β会（），ICBO会（），导通电压会（）。
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晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
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温度升高时，三极管的Icbo（）。
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当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO（），导通电压UBE减小。
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晶体三极管的参数受温度影响，当温度升高时，晶体管的ICBO将（），β将（），|UBE|将（）。
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晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
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温度每升高1℃，uBE就减小2～2.5 mV。
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晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数，当温度升高时，β和ICBO（），而UBE（）
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当温度T升高时，三极管的Icbo将增大.（）
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三极管中Icbo和Iceo随温度升高而（），Ube随温度升高而（）。
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单选题当温度T升高时，晶体三极管的参数有如下变化规律。（）Ab增大，UBE增大，ICBO增大Bb减小，UBE减小，ICBO减小Cb增大，UBE减小，ICBO增大Db减小，UBE增大，ICBO减小
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