设Am×n，Bn×m（m≠n），则下列运算结果不为n阶方阵的是:A.BAB.ABC.（BA）TD.ATBT

设Am×n，Bn×m（m≠n），则下列运算结果不为n阶方阵的是:

A.BA
B.AB
C.（BA）T
D.ATBT

参考解析

解析：

相关考题：

设A为m*n矩阵,则有()。 A、若mn，则有ax=b无穷多解B、若mn，则有ax=0非零解，且基础解系含有n-m个线性无关解向量;C、若A有n阶子式不为零，则Ax=b有唯一解;D、若A有n阶子式不为零，则Ax=0仅有零解。
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设A是n阶方阵,若对任意的n维向量x均满足Ax=0,则() A、A=0B、A=EC、r(A)=nD、0r(A)(n)
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设 A 、 B 为n阶方阵，AB＝0 ，则
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设A，B是n（n≥2）阶方阵，则必有（ ）.
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设A为m×n阶矩阵,B为n×m阶矩阵,且m>n,令r(AB)=r,则().A.r>mB.r=mC.rD.r≥m
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设A是n阶方阵，a是n维列向量，下列运算无意义的是( ).A.B.C.αAD.Aα
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设A是m×n矩阵，B是n×m矩阵，且AB=E,其中E为m阶单位矩阵，则（ ）A.r(A)=r(B)=mB.r(A)=m r(B)=nC.r(A)=n r(B)=mD.r(A)=r(B)=n
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设A、B均为n阶方阵，则下列式子中错误的是（ ）.
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设Amxn,Bnxm(m≠n)，则下列运算结果不为n阶方阵的是：A.BA B.AB C. (BA)T D.ATBT
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若n阶方阵A满足|A|＝b（b≠0，n≥2），而A*是A的伴随矩阵，则行列式|A*|等于（　　）。A．bnB．bn－1C．bn－2D．bn－3
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设A和B均为n阶矩阵(n>1)，m是大于1的整数，则必有(　　)。
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设A为n阶方阵，A*是A的伴随矩阵，则||A|A*|等于（ ）.
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设A为m×n矩阵，B为n×m矩阵，E为m阶单位矩阵，若AB=E，则（ ）.《》（ ）A.r（A）=m，r（B）=mB.r（A）=m，r（B）=nC.r（A）=n，r（B）=mD.r（A）=n，r（B）=n
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在难溶盐的饱和溶液中，各种离子浓度的乘积为一常数，形成沉淀的基本条件是（）A、[Am+]n[Bn-]m＜KSPB、[Am+]n[Bn-]m＞KSPC、[Am+]n[Bn-]m≤KSPD、[Am+]n[Bn-]m=KSP
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对于一难溶电解质AnBm（S）nAm++mBn-要使沉淀从溶液中析出，则必须（）。A、[Am+]n[Bn-]m=KspB、[Am+]n[n-]m〉KspC、[Am+]n[Bn-]m〈KspD、[Am+1]〉[Bn-1]
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设A是一个n阶方阵，已知｜A｜=2，则｜-2A｜等于：（）A、（-2）n+1B、（-1）n2n+1C、-2n+1D、-22
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设A为n阶方阵，且|A|=a≠0，则|A*|等于（）。A、aB、an-1C、an
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设A是n阶方阵，α是n维列向量，下列运算无意义的是（）．A、αTAαB、ααTC、αAD、Aα
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单选题设A为m×n矩阵，B为n×m矩阵，E为m阶单位矩阵，若AB＝E，则（　　）。Ar（A）＝m，r（B）＝mBr（A）＝m，r（B）＝nCr（A）＝n，r（B）＝mDr（A）＝n，r（B）＝n
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问答题设A是n阶矩阵，且满足Am＝E，其中m为整数，E为n阶单位矩阵。令将A中的元素aij换成它的代数余子式Aij而成的矩阵为A(～)，证明：（A(～)）m＝E。
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填空题设A为n阶方阵，E为n阶单位矩阵，且A2＝A，则（A－2E）－1＝____。
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单选题设A是n阶方阵，α是n维列向量，下列运算无意义的是（）．AαTAαBααTCαADAα
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单选题对三级CLOS网络C（m，n，r），如果（），则此网络是可重排无阻塞的。Am≥2n-1Bn≥2m-1Cm≥nDn≥m
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单选题设A为n阶方阵，若对任意n×m（m≥n）矩阵B都有AB＝0，则A＝（　　）。A0B1C2D3
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填空题设A为n阶方阵，若对任意n×m（m≥n）矩阵B都有AB=0，则A=____.
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单选题对一难溶电解质AnBm（S）nAm++mBn-要使沉淀从溶液中析出，则必须（）。A[Am+]n[Bn-]m=KSPB[Am+]n[Bn-]mKSPC[Am+]n[Bn]mKSPD[Am+1][Bn-1]
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