激光蚀刻技术可以分为（）A、激光刻划标码技术B、激光掩模标码技术C、红光刻划标码技术D、激光渗透标码技术
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）A、电子束曝光技术B、离子束曝光技术C、X射线曝光技术
单选题微传感器的加工工艺不包括（）。A光刻技术BHARQ技术C半导体掺杂技术DLIGA技术
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
多选题激光蚀刻技术可以分为（）A激光刻划标码技术B激光掩模标码技术C红光刻划标码技术D激光渗透标码技术
问答题列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
问答题何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？
判断题先进集成电路加工中，主要采用投影式光刻曝光技术。A对B错
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。A电子束曝光技术B离子束曝光技术CX射线曝光技术
填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。