判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量,而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A对B错

判断题
预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量,而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
A

B


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表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。A、分凝度B、固溶度C、分凝系数D、扩散系数

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

以P2O5为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()

二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。A、预B、再C、选择

在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。A、4~6hB、50min~2hC、10~40minD、5~10min

通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散

在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。A、1050~1200℃B、900~1050℃C、1100~1250℃D、1200~1350℃

真空系统中,串联使用,主要是为了()A、用扩散泵来获得较高的真空B、扩散泵、分子泵需要一定的真空才能工作C、机械泵与扩散泵、分子泵必须共同使用D、A+B

扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型

在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()。A、600~750℃B、900~1050℃C、1100~1250℃D、950~1100℃

对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散

扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的

填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火

判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A对B错

单选题下面选项属于主扩散的作用有()。  1.调节表面浓度 2.控制进入硅表面内部的杂质总量 3.控制结深A1B2C3D1、3

单选题真空系统中,串联使用,主要是为了()A用扩散泵来获得较高的真空B扩散泵、分子泵需要一定的真空才能工作C机械泵与扩散泵、分子泵必须共同使用DA+B

问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些()      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③

判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量,而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A对B错

问答题杂质在硅中的扩散方式有哪些?

填空题有限表面源扩散的杂质分布服从()分布。

填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤()、()和()。

判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。A对B错