热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A、4～6hB、50min～2hC、10～40minD、5～10min
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A、使薄膜的介电常数变大B、可能引入杂质C、可能使薄膜层间短路D、使薄膜介电常数变小E、可能使薄膜厚度增加
在采油中，石蜡通常是指原油中所含的哪些成分（）。A、固态或半固态的石蜡B、胶质C、沥青质D、水E、杂质
在采油中，石蜡通常是指原油中所含的（）成分。A、固态或半固态的石蜡B、胶质C、沥青质D、水E、杂质
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火
填空题热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
填空题重结晶提纯时，难溶的杂质在（）步骤中除去；可溶性杂质在（）步骤中除去。
判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A对B错
填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A对B错
判断题硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。A对B错
填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。