铝钢扩径空芯导线LGKK—900长期允许载流量约为( )。A.600B.800C.1050D.1500
灭火毯在()℃火焰中不熔滴，不燃烧。A.800B.900C.1000D.1050
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
预焙阳极生炭块在煅烧过程中，一般要求煅烧温度在（）左右。A、1000℃B、1300℃C、900~1000℃D、900℃
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A、4～6hB、50min～2hC、10～40minD、5～10min
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A、使薄膜的介电常数变大B、可能引入杂质C、可能使薄膜层间短路D、使薄膜介电常数变小E、可能使薄膜厚度增加
钢材的蓝脆温度一般是在（）左右。A、300℃B、900℃C、1050℃
高温炼焦指煤在隔绝空气的条件下，加热至（），经过干燥、热解、熔融、粘结、固化、收缩等阶段最终制得焦炭的过程。A、900～950℃B、950～1000℃C、950～1050℃D、1000～1050℃
立方氮化硼在（）以下不会氧化。A、900°B、1000°C、1100°D、500°
在众多成土过程中，在寒温带针叶林发育的SiO2残留、R2O3及（）淋溶与淀积过程为（）过程。
元丰（双推杆）中轮盘式制动器保养工艺二级保养工艺要求，预检作业项目，准备与预检工序的作业步骤不包括（）。A、清洁轮眉B、预检后桥C、支车D、拆胎
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
灭火毯在（）℃火焰中不熔滴，不燃烧。A、800B、900C、1000D、1050
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火
单选题灭火毯在（）℃火焰中不熔滴，不燃烧。A800B900C1000D1050
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A对B错
判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A对B错