通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散

通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

  • A、再分布
  • B、等表面浓度扩散
  • C、预淀积
  • D、等总掺杂剂量扩散

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什么是“湿热扩散”?湿热扩散对粮食储藏有什么影响?
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多相催化一般经历七个步骤：反应物外扩散、内扩散、（）、反应、及反应生成物脱附、内扩散、外扩散等。A、稀释B、溶解C、吸附D、分离
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多相催化一般经历七个步骤：反应物外扩散、内扩散、（）及反应生成物脱附（）等。A、吸附B、反应C、内扩散D、外扩散
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假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
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CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A、4～6hB、50min～2hC、10～40minD、5～10min
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一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。A、恒定总掺杂剂量B、不恒定总掺杂剂量C、恒定杂志浓度D、不恒定杂志浓度
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
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造成湿热扩散的原因何在？湿热扩散与储粮稳定性有何关系？
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电化学精制工艺流程一般有预碱洗、（）、（）、（）、（）等步骤，其中预碱洗的目的是（）。
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气体燃料的燃烧方式大致可分为（）。A、混合、扩散燃烧方式两种；B、预混合、部分预混合燃烧方式两种；C、部分预混合、扩散、预混合燃烧方式三种；D、部分预混合、扩散燃烧方式两种
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
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通常用热空气干燥，湿扩散和热扩散的方向一致，有利于干燥的进行。
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热扩散
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关于温度对化学反应过程各步骤的影响，下述哪些说法正确？（）A、温度对外扩散过程的影响最大；B、温度对化学反应和扩散步骤均有影响，但对化学反应步骤的影响要比扩散大得多；C、温度对内扩散步骤的影响最大；D、温度对内扩散的影响很小
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热扩散率（热扩散系数，导温系数）a
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判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
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判断题热扩散掺杂的工艺可以一步实现。A对B错
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名词解释题热扩散率（热扩散系数，导温系数）a
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问答题简述热扩散所需经历的步骤
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问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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单选题气体燃料的燃烧方式大致可分为（）。A混合、扩散燃烧方式两种；B预混合、部分预混合燃烧方式两种；C部分预混合、扩散、预混合燃烧方式三种；D部分预混合、扩散燃烧方式两种
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判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A对B错
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单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散
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填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
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填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
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判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A对B错
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