单选题下面选项属于主扩散的作用有()。  1.调节表面浓度 2.控制进入硅表面内部的杂质总量 3.控制结深A1B2C3D1、3

单选题
下面选项属于主扩散的作用有()。  1.调节表面浓度 2.控制进入硅表面内部的杂质总量 3.控制结深
A

1

B

2

C

3

D

1、3


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

下列选项中,属于先进控制系统的控制策略的是()。 A、再生器燃烧控制B、主分馏塔控制C、裂化产品质量控制D、操作调节控制

(二)问题:1.何谓闭环控制系统?2.何谓开环控制系统?3.哪一种控制系统功能较好?

油船装货前的安全检查项目有1.门窗通道是否关闭2.船岸电位差是否被控制3.警示标志是否挂妥。A.12B.23C.123

问题:1.何谓闭环控制系统?2.何谓开环控制系统?3.哪一种控制系统功能较好?

多相催化反应中,作用物从催化剂外表面扩散进入孔隙内部的过程叫做()A、外扩散B、内扩散C、表面扩散D、化学吸附

您希望通过阿里云的云服务器ECS的管理控制台查看某个地域拥有的所有的云服务器ECS的实例,可以通过以下哪种方式完成?()A、1.进入云服务器管理控制台;2.选择云服务器实例管理;3.选择地域B、1.进入云服务器管理控制台;2.选择地域;3.选择云服务器实例管理C、1.选择云服务器实例管理;2.选择地域;3.进入云服务器管理控制台D、1.选择地域;2.进入云服务器管理控制台;3.选择云服务器实例管理

在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()

下面的选项中属于内部控制应当包括的要素有()。A、信息交流与反馈B、风险识别与评估C、激励约束机制D、内部控制环境

干燥过程中,例如面包、明胶等物料是属于()A、内部扩散控制B、内部干燥过程C、表面汽化控制D、表面干燥过程

注册会计师对内部控制的评价步骤,下面选项哪些是正确的()。A、内部控制评价计划B、了解内部控制C、记录内部控制D、内部控制评价获取证据方法E、内部控制评价指标

下面选项中,不属于油罐机械呼吸阀的作用的是()A、控制和调节油罐内外气压,达到相对平衡B、可以一定程度上减少油品蒸发损失C、对油罐起到安全保护作用D、避免大气中的水分进入油罐

在串级调节系统中,对进入系统的干扰有超前控制作用的是()。A、主回路B、副回路C、主、副回路D、主调节器

参数调节简单系统由:1.一次表、2.()、3.()组成。

写出分属于下列科的校园植物。 李亚科1.()2.()3.() 苹果亚科1.()2.()3.() 绣线菊亚科1.()2.() 蔷薇亚科() 十字花科1.()2.() 藜科1.()2.() 蓼科() 堇菜科() 卫矛科() 蝶形花科1.()2.()3.()

写出分属于下列科的校园植物。 石竹科() 茄科() 唇形科1.()2.() 紫草科1.()2.() 木樨科() 百合科1.()2.() 禾本科1.()2.()3.()

下列选项中,属于《内部控制——整合框架》中内部控制的五种要素的有()。A、控制环境B、风险评估C、控制活动D、信息与沟通

扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型

恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,()保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物

铁磁材料的性质是()。A、1.能被磁体吸引;2.能被磁化无剩磁和磁滞损耗;3.磁导率μ不是常数B、1.能被磁体吸引;2.能被磁化有剩磁和磁滞损耗;3.磁导率μ无最大值C、1.不能被磁化;2.磁感应强度β有饱和值;3.磁导率μ不是常数D、1.不能被磁化;2.有剩磁和磁滞损耗;3.磁导率μ不是常数

多选题下面的选项中属于内部控制应当包括的要素有()。A信息交流与反馈B风险识别与评估C激励约束机制D内部控制环境

单选题干燥过程中,例如面包、明胶等物料是属于()A内部扩散控制B内部干燥过程C表面汽化控制D表面干燥过程

填空题写出分属于下列科的校园植物。 石竹科() 茄科() 唇形科1.()2.() 紫草科1.()2.() 木樨科() 百合科1.()2.() 禾本科1.()2.()3.()

填空题():1.过筛分离机制2.溶解扩散机制3.选择性吸附机制。

单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些()      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③

判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量,而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A对B错

问答题杂质在硅中的扩散方式有哪些?

填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。