采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？

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刻蚀方法有哪些?() A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是
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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
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反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
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STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？
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干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
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不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。A、CHF3B、C2F6C、C3F8D、HF
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在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅
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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
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在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A、气体B、等离子体C、固体D、液体
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（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间
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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
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刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
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硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
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问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
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问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
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填空题由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
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填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。
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问答题什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？
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判断题在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A对B错
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填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
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问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
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判断题刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A对B错
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单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。Aa.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；Bb.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；Cc.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
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问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
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问答题从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？
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判断题各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A对B错
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判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错
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