刻蚀方法有哪些?() A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
下列不属于离子束加工技术的是（）。A、离子束刻蚀B、离子束焊接C、离子注入技术D、离子束镀膜技术
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
问答题什么是浅槽隔离（STI），它取代了什么工艺？
填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。
填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
问答题STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？
问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
问答题什么是LOCOS和STI（写中英文全称），为什么在高级IC中STI取代了LOCOS，列举STI的工艺步骤。
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A对B错
问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错
问答题在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？