问答题什么是干法刻蚀?干法有几种刻蚀方法?

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什么是干法刻蚀?干法有几种刻蚀方法?

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简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。

干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么?

根据原理分类,干法刻蚀分成几种?各有什么特点?

在干法刻蚀的终点检测方法中,光学放射频谱分析法最常见,简述其工作原理和优缺点。

下列有关ARC工艺的说法正确的是()。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以

问答题二氧化硅,铝,硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀?

单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工

问答题干法刻蚀有哪几种?相应的内容是什么?

判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错

问答题列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。

填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法,通常采用的是()终点检测方法。

问答题简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。

填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是()、()和()。

问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体?

问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点

问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体?

问答题干法刻蚀有高的还是低的选择比?

问答题简述干法刻蚀的应用

问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点,干法刻蚀的不足之处是什么?

问答题什么是干法刻蚀?

问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法?

填空题干法刻蚀适用于() (粗/细)线条。

问答题湿法刻蚀和干法刻蚀的区别?

判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。A对B错

判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A对B错

问答题什么是干法刻蚀?什么是湿法刻蚀?比较二者的优缺点。