PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子，又有少数载流子D、多数载流子
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。
三极管工作时，发射极发射载流子，（）输送和控制载流子，（）是收集载流子。
三极管集电极的作用是（）。A、发射载流子；B、输送和控制载流子；C、收集载流子；D、不一定。
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
三极管的集电区的作用是（）。A、发射载流子B、输送和控制载流子C、收集载流子D、控制载流子
判断题注入电致发光显示在半导体PN结上加反偏压产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。A对B错
填空题发光二极管是（）载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源。
单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（ ）。A载流子在耗尽区的漂移时间过长B将光信号转换为电信号的效率太低C其所加的反向偏置电压过大D其注入的非平衡载流子扩散过快
单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A非平衡载流子浓度成正比；B平衡载流子浓度成正比；C非平衡载流子浓度成反比；D平衡载流子浓度成反比。
问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？