温度每升高1℃，uBE就减小2～2.5 mV。
温度每升高1℃，uBE就减小2～2.5 mV。
相关考题：
当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大，UBE增大，ICBO增大B、b减小，UBE减小，ICBO减小C、b增大，UBE减小，ICBO增大D、b减小，UBE增大，ICBO减小
晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（）。A.β和ICBO增加，UBE减小B.β和UBE减小，ICBO增加C.β增加，ICBO和UBE减小D.β、UBE和ICBO都增加
晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（ ）。A．β增加，ICBO和UBE减小B．β和ICBO增加，UBE减小C．β和UBE减小，ICBO增加D．β、ICBO和UBE都增加
晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
下列有关太阳辐射哪一种说法是正确的（）。A、太阳辐射强烈，蒸发面的温度就升高，饱和水汽压减小，饱和差减小，蒸发速度就大B、太阳辐射强烈，蒸发面的温度就升高，饱和水汽压增大，饱和差减小，蒸发速度就大C、太阳辐射强烈，蒸发面的温度就升高，饱和水汽压减小，饱和差增大，蒸发速度就大D、太阳辐射强烈，蒸发面的温度就升高，饱和水汽压增大，饱和差增大，蒸发速度就大
单选题下列有关太阳辐射哪一种说法是正确的（）。A太阳辐射强烈，蒸发面的温度就升高，饱和水汽压减小，饱和差减小，蒸发速度就大B太阳辐射强烈，蒸发面的温度就升高，饱和水汽压增大，饱和差减小，蒸发速度就大C太阳辐射强烈，蒸发面的温度就升高，饱和水汽压减小，饱和差增大，蒸发速度就大D太阳辐射强烈，蒸发面的温度就升高，饱和水汽压增大，饱和差增大，蒸发速度就大