常温下,硅晶体三极管的UBE 约为0.7V,且随温度升高而减小。()

常温下,硅晶体三极管的UBE 约为0.7V,且随温度升高而减小。()


相关考题:

当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大,UBE增大,ICBO增大B、b减小,UBE减小,ICBO减小C、b增大,UBE减小,ICBO增大D、b减小,UBE增大,ICBO减小

常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。() 此题为判断题(对,错)。

小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

用万用表测三电极的参数为UBE=0.7V、UCE=5V,则()A、三极管是处于截止状态B、三极管是PNP型C、三极管是硅材料D、三极管是处于饱和状态

硅半导体三极管不失真的电压放大时,其be结应加的直流电压与交流电压值约为()A、均为0.6~0.7VB、前者为0.6~0.7V,后者约为百mVC、前者为0.6~0.7V,后者约为几mV~十几mVD、视具体情况而定

已知常温下晶体二极管的工作点电流为2mA,则其交流等效电阻rd为多少,且与温度之关系()A、13Ω、随温度加大而加大B、13Ω、随温度加大而减小C、26Ω、随温度加大而加大D、26Ω、随温度加大而减小

晶体管工作在放大状态时,发射结反偏,对于硅管约为0.7v,锗管约为0.3v。

晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

硅NPN型的三极管如果它工作于饱和状态,那么,它一定具有以下特征:()。A、UBE在0.3V左右B、UBE约为0.7伏C、UCB>0D、UC<0E、UCB<0

已知常温下BJT管的工作点电流为2mA,则其交流等效电阻rd为多少?且与温度之关系为()A、13Ω,随温度加大而加大B、13Ω,随温度加大而减小C、26Ω,随温度加大而加大D、26Ω,随温度加大而减小

硅管的正向压降为0.7V。()

晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()A、β增加,ICBO,和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加

晶体三极管的参数受温度影响,当温度升高时,晶体管的ICBO将(),β将(),|UBE|将()。

晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。A、β增加,ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加

在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

有人测试晶体管的γbe,方法是通过测得晶体管的UBE=0.7,IB=20mA,推算出γbe=UBE/IB=0.7V/20mA=35KΩ。

晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数,当温度升高时,β和ICBO(),而UBE()

NPN晶体管处于截止状态的条件是()。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V

常温下,硅二极管的正向导通压降为()。A、0.3V;B、0.7V;C、1V

测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V,则该管工作在()。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、反向放大状态

晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V

三极管中Icbo和Iceo随温度升高而(),Ube随温度升高而()。

单选题已知常温下晶体二极管的工作点电流为2mA,则其交流等效电阻rd为多少,且与温度之关系()A13Ω、随温度加大而加大B13Ω、随温度加大而减小C26Ω、随温度加大而加大D26Ω、随温度加大而减小

单选题用万用表测三电极的参数为UBE=0.7V、UCE=5V,则()A三极管是处于截止状态B三极管是PNP型C三极管是硅材料D三极管是处于饱和状态

单选题已知常温下BJT管的工作点电流为2mA,则其交流等效电阻rd为多少?且与温度之关系为()A13Ω,随温度加大而加大B13Ω,随温度加大而减小C26Ω,随温度加大而加大D26Ω,随温度加大而减小

单选题硅半导体三极管不失真的电压放大时,其be结应加的直流电压与交流电压值约为()A均为0.6~0.7VB前者为0.6~0.7V,后者约为百mVC前者为0.6~0.7V,后者约为几mV~十几mVD视具体情况而定