温度每升高10℃,ICBO、ICEO就约增大2倍。

温度每升高10℃,ICBO、ICEO就约增大2倍。


相关考题:

温度升高导致三极管参数发生()变化。 A、ICBO,β,UBE都增大B、ICBO,β,UBE都减小C、ICBO,β增大,UBE减小D、β,UBE增大,ICBO减小

温度上升时,半导体三极管的() A、ICBO增大,UBE下降B、UBE增大,ICBO减小C、ICBO和UBE增大D、ICBO和UBE减少

当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大,UBE增大,ICBO增大B、b减小,UBE减小,ICBO减小C、b增大,UBE减小,ICBO增大D、b减小,UBE增大,ICBO减小

晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为()。A.β和ICBO增加,UBE减小B.β和UBE减小,ICBO增加C.β增加,ICBO和UBE减小D.β、UBE和ICBO都增加

晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为(  )。A.β增加,ICBO和UBE减小B.β和ICBO增加,UBE减小C.β和UBE减小,ICBO增加D.β、ICBO和UBE都增加

三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为()AIceo=IcboBIceo=(β+1)IcboCIceo=βIcbo

当温度T升高时,三极管的Icbo将增大.( )

三极管的ICEO随着温度升高而迅速增加。

温度升高时,三极管参数正确变化的是()。A、Icbo,Ube,β均增大B、Icbo,Ube,β均减小C、Icbo及β增大,Ube下降D、Icbo及β下降,Ube增大

三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为(),β为电流放大倍数。 A、Iceo=Icbo;B、Iceo=(β+1)Icbo;C、Iceo=βIcbo;D、Iceo=(β-1)Icbo。

提高反应温度则反应速度增大,温度每升高10度,反应速度约提高20%----30%。

提高反应温度则反应速度增大,温度每升高()℃反应速度约提高10%~20%。

升高温度,可提高反应速度,通常溶液的温度每增高()℃,反应速度约增大2~3倍。A、5B、10C、15D、20

温度升高导致三极管参数发生()变化。A、Icbo、β、Ube都增大B、Icbo、β、Ube都减小C、Icbo和β增大、Ube减小D、Icbo减小、β和Ube增大

每增加()三极管的Icbo就增大1倍。A、1℃B、5℃C、10℃D、15℃

表明晶体管质量优劣的主要参数是()。A、β、ICBO(ICEO)B、ICM、PCMC、,ICMD、,PCM

晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()A、β增加,ICBO,和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加

表明晶体管质量优劣的主要参数是()。A、β,ICBO,(ICEO)B、ICM、PCMC、U(BR)CEO,ICM

晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数ICBO(),VBE(),β()。

温度升高时,三极管的Icbo()。

三极管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的()倍。在选用管子时,一般希望ICEO尽量()。

当温度升高时,晶体管的参数β增大,ICBO(),导通电压UBE减小。

晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。A、β增加,ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加

晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的()倍,在选用晶体管的时候,一般希望ICBO尽量()。

晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数,当温度升高时,β和ICBO(),而UBE()

三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为()A、Iceo=IcboB、Iceo=(β+1)IcboC、Iceo=βIcbo

三极管中Icbo和Iceo随温度升高而(),Ube随温度升高而()。