解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。A、负胶的感光区域溶解B、正胶的感光区域溶解C、负胶的感光区域不溶解D、正胶的感光区域不溶解E、负胶的非感光区域溶解
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。A、正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶B、正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解C、负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低D、正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解E、负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶
问答题什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中？
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
问答题显影时，正胶和负胶的哪个区发生溶解？而哪个区则不会溶解。
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对B错
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。
填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。