在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA

在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

  • A、DQN
  • B、CA
  • C、ARC
  • D、PMMA

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使用Hertrix爬取网页时建议使用()模式。 A、MirrorB、KW3C、ARCD、TXT
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光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
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在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。A、烘烤的目的是除去光刻胶中的水分B、烘烤可以减轻曝光中的驻波效应C、烘烤的温度一般在300℃左右D、烘烤的时间越长越好
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光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。A、树脂B、感光剂C、HMDSD、溶剂E、PMMA
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有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形
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光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。A、红外线辐射B、X射线照射C、加热D、紫外光辐射E、电子束扫描
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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在确定无框眼镜镜片的使用材料时，首选的是（）材料，其次是（）材料。A、PC；CR-39B、PMMA；CR-39C、CR-39；PCD、CR-39；PMMA
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在AutoCAD中画圆弧的命令是（）A、CircleB、LineC、ArcD、Polygon
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晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。A、化学增强B、化学减弱C、厚度增加D、厚度减少
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在Photoshop中拼接全景图，在图像的拍摄时需要注意的是（）。A、应使用标准镜头进行拍摄、使用手动曝光B、使用标准镜头拍摄、使用自动曝光C、使用标准镜头进行拍摄，拼接的图像曝光必须一致，二幅图像之间必须重叠20%以上，使用三脚架拍摄
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在Photoshop中拼接全景图需要遵循的规则是（）。A、使用三脚架B、使用广角镜头C、使用自动曝光D、拼接的两幅图像必须重叠5%
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要使用HDR技术，必须拍摄HDR图像，这就需要为完全相同的场景以不同的曝光拍摄多幅图像。因此需要使用（）进行拍摄。A、三脚架B、包围曝光C、滤色镜D、长时间曝光技术
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判断题曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。A对B错
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问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
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问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？
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单选题在Photoshop中拼接全景图，在图像的拍摄时需要注意的是（）。A应使用标准镜头进行拍摄、使用手动曝光B使用标准镜头拍摄、使用自动曝光C使用标准镜头进行拍摄，拼接的图像曝光必须一致，二幅图像之间必须重叠20%以上，使用三脚架拍摄
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判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
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填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。
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问答题典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？
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判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对B错
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判断题在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。A对B错
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判断题光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。A对B错
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判断题PMMA镜片的紫外线透过率为73.5%A对B错
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