试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
GTR的主要缺点之一是（）A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTR；B、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A一次击穿B二次击穿C临界饱和D反向截至
问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；BTRIAC和IGBT；CMOSFET和IGBT；DSCR和MOSFET；
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
问答题Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。