IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
IGBT管是由哪两种器件复合而成的.（）A．MOSFET和GTRB．GTO和MOSFETC．GTR和GTOD．MCT和MOSFET
IGBT管是由哪两种器件复合而成的（）。A．MOSFET和GTRB．GTR和GTOC．GTO和MOSFETD．MCT和MOSFET
7、IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。
比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
IGBT管是由哪两种器件复合而成的（）。A．MOSFET和GTRB．GTO和MOSFETC．GTR和GTOD．MCT和MOSFET
IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。
【判断题】绝缘栅双极型晶体管（IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。A．Y.是B．N.否