试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

相关考题：

SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
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IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
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IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
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试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
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IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
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功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
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IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
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从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
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Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
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在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
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IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
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试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
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单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；BTRIAC和IGBT；CMOSFET和IGBT；DSCR和MOSFET；
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问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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问答题GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
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问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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问答题Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
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