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GTR存在二次击穿现象。()
GTR存在二次击穿现象。()
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P-MOSFET存在二次击穿现象。()
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什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。
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由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
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带电作业绝缘工具电气预防性试验中,操作冲击试验以( )为合格(采用250/2500μs的标准波)。A.无二次击穿、闪络 B. 无二次击穿 C. 无一次击穿、闪络 D. 无一次击穿
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运行中的电流互感器二次开路后可能出现()的危险现象。A一次电压指示升高B二次电流指示为零C噪声增大D绝缘击穿
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电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。()
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31、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止
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3、电力晶体管(GTR)的安全工作区由()线限定.A.最高电压UceMB.集电极最大电流IcMC.最大耗散功率PcMD.二次击穿临界线
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GTR的安全工作区是由 围成的区域A.最高工作电压B.集电极最大允许电流C.集电极最大耗散功率D.二次击穿功率
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