IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
GTR的主要缺点之一是（）A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象
PN结的主要特性是（）。A、单向导电性、电容效应B、电容效应、击穿特性C、单向导电性、击穿特性D、单向导电性、电容效应、击穿特性
GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。
稳压二极管的工作是利用其伏安特性的（）A、正向特性；B、正向击穿特性；C、反向特性；D、反向击穿特性
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善，电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A、失控B、二次击穿C、不能控制关断D、不能控制开通
PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
判断题GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。A对B错
单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A一次击穿B二次击穿C临界饱和D反向截至
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
单选题在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A失控B二次击穿C不能控制关断D不能控制开通