P-MOSFET存在二次击穿现象。()

P-MOSFET存在二次击穿现象。()

相关考题：

GTR存在二次击穿现象。()
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什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。
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由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
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带电作业绝缘工具电气预防性试验中，操作冲击试验以（ ）为合格（采用250/2500μs的标准波）。A.无二次击穿、闪络 B. 无二次击穿 C. 无一次击穿、闪络 D. 无一次击穿
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带电作业绝缘工具电气预防性试验中，操作冲击试验以（）为合格（采用250/2500ms的标准波）。A.无二次击穿、闪络B.无二次击穿C.无一次击穿、闪络D.无一次击穿
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运行中的电流互感器二次开路后可能出现（）的危险现象。A一次电压指示升高B二次电流指示为零C噪声增大D绝缘击穿
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电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）
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晶闸管反向电压逐步增大将会引起晶闸管反向击穿，该反向击穿现象称为雪崩击穿。
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31、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）A．一次击穿B．二次击穿C．临界饱和D．反向截止
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