简述典型反应过程的安全技术中的氧化反应的氧化过程的安全措施。&
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
钴钼加氢干法脱硫剂以（）为主体，其余为三氧化二铝等等。A、氧化锌B、氧化铜C、氧化锰
试写出95氧化铝瓷典型生产工艺流程，并综合论述各工艺要点。
脱硫工艺流程的复杂程度为（）A、湿法干法湿干法B、湿法湿干法干法C、湿法、湿干法和干法相似D、湿法湿干法干法
问答题简述典型反应过程的安全技术中的氧化反应的氧化过程的安全措施。
问答题简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？
问答题试写出95氧化铝瓷典型生产工艺流程，并综合论述各工艺要点。
问答题为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？
问答题为什么氧化层厚度越厚，热氧化生长的速率越慢？
判断题在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，处于线性氧化阶段。A对B错
填空题由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。
填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
填空题CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。