问答题简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。
问答题
简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。
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经机械加工的表面层自表向里依次为______。 A.吸附气体层→污染层→氧化层→加工硬化层→基体B.污染层→吸附气体层→氧化层→加工硬化层C.污染层→吸附气体层→加工硬化层→氧化层→基体D.吸附气体层→污染层→加工硬化层→氧化层→基体
填空题单晶硅太阳能电池采用()表面来增加表面积,用沉积Si3N4作()膜来降低入射光的反射,用在扩散层表面氧化生长()nm的钝化层,改变表面层硅原子价键失配,减少表面复合,提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时,反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的()
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