判断题在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。A对B错

判断题
在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。
A

B


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下列因素中哪个与矽肺的发病直接无关A.二氧化硅含量B.结合型二氧化硅C.二氧化硅浓度D.二氧化硅分散度E.接触二氧化硅的工龄

二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。A、预B、再C、选择

二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。A、降低B、增加C、不变D、先降低后增加

干氧氧化法具备以下一系列的优点()。A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好B、生长的二氧化硅干燥C、生长的二氧化硅结构致密D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜E、生长的二氧化硅掩蔽能力强

干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子B、氧化的速度慢C、生长的二氧化硅缺陷多D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差

当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。A、温度B、硅-二氧化硅界面处的化学反应C、氧的扩散速率D、压力

如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是:()。A、扩散剂总量B、压强C、温度D、浓度

通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处

降速干燥阶段:干燥速率降低,谷物表面的水分蒸发速度大于内部水分的扩散速度,干燥过程由内部()控制。

二氧化硅的种类及类型不同,对人体的危害作用也不同,哪一种致纤维化作用最强().A、非结晶性二氧化硅B、结合型二氧化硅C、结晶型二氧化硅D、游离型二氧化硅

哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强()A、游离二氧化硅B、结合二氧化硅C、结晶型游离二氧化硅D、隐晶型游离二氧化硅E、无定型游离二氧化硅

离子交换器排水装置垫层的石英砂质量要求是()。A、二氧化硅含量在95%以上B、二氧化硅含量在9%以上C、二氧化硅含量在90%以上D、二氧化硅含量在50%以上

物料干燥在降速阶段,干燥速率取决于内部扩散速率。

硅灰是在冶炼硅铁合金或工业硅时,通过烟道排出的硅蒸气氧化后,经收尘器收集得到的以()为主要成份的产品。A、无定形二氧化硅B、空心微珠C、二氧化硅多晶D、二氧化硅单晶

为确保机组二氧化硅指标合格,机组在启动升负荷阶段必须进行()工作。

问答题简述硅热氧化过程中有哪些阶段?

判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A对B错

问答题为什么氧化层厚度越厚,热氧化生长的速率越慢?

单选题哪种二氧化硅致纤维化作用最强?(  )A游离二氧化硅B结合二氧化硅C结晶型游离二氧化硅D无定型游离二氧化硅E隐晶型游离二氧化硅

单选题哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强?(  )A游离二氧化硅B结合二氧化硅C结晶型游离二氧化硅D隐晶型游离二氧化硅E无定型游离二氧化硅

判断题热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动,在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。A对B错

问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些()      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③

单选题硅灰是在冶炼硅铁合金或工业硅时,通过烟道排出的硅蒸气氧化后,经收尘器收集得到的以()为主要成份的产品。A无定形二氧化硅B空心微珠C二氧化硅多晶D二氧化硅单晶

判断题物料干燥在降速阶段,干燥速率取决于内部扩散速率。A对B错

单选题离子交换器排水装置垫层的石英砂质量要求是()。A二氧化硅含量在95%以上B二氧化硅含量在9%以上C二氧化硅含量在90%以上D二氧化硅含量在50%以上

单选题通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A空穴移向衬底深处B空穴移向二氧化硅层C电子移向二氧化硅层D电子移向衬底层深处