填空题CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。
填空题
CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。
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根据有关电对的电极电位判断氧化还原反应进行的方向，下列叙述错误的是( )A.电对的电位越高，其还原态的还原能力越强。B.电对的氧化态可以氧化电位比它低的另一电对的还原态。C.电对的电位越低，其氧化态的氧化能力越强。D.作为还原剂，它可以还原电极电位比它低的另一电对的氧化态。E.电对的的电位越高，其氧化态的氧化能力越强。
从有关电对的电极电位判断氧化还原反应进行方向的正确方法是()。 A.某电对的还原态可以还原电位比它低的另一电对的氧化态B.电对的电位越低，其氧化态的氧化能力越弱C.某电对的氧化态可以氧化电位比它低的另一电对的还原态D.电对的电位越高，其还原态的还原能力越强
从有关电对的电极电位判断氧化还原反应进行方向的正确方法是崐（）。A、某电对的还原态可以还原电位比它低的另一电对的氧化态B、作为一种氧化剂，它可以氧化电位比它高的还原态C、某电对的氧化态可以氧化电位较它低的另一电对的还原态D、电对的电位越低，其氧化态的氧化能力越强
从有关电对的电极电位判断氧化还原反应进行方向的正确方法是（）。A、某电对的还原态可以还原电位比它低的另一电对的氧化态B、电对的电极电位越低，是氧化态的氧化能力越强C、某电对的氧化态可以氧化电极电位较它低的另一电对的还原态D、电对的电极电位越高，其还原态的还原能力越强E、作为一种氧化剂，它可以氧化电极电位比它高的还原剂
根据有关电对的电极电位判断氧化还原反进行的方向，下列叙述错误的是（）。A、电对的电位越高，其还原态的还原能力越强B、电对的氧化态可以氧化电位比它低的另一电对的还原态C、电对的电位越低，其氧化态的氧化能力越强D、作为还原剂，它可以还原电极电位比它低的另一电对的氧化态E、电对的的电位越高，其氧化态的氧化能力越强
对氧化还原电对电极电位的影响，下列叙述中正确的是：（）A、凡是使氧化态活度降低的，电位就升高B、凡是使氧化态活度降低的，电位就降低C、凡是使还原态活度降低的，电位就降低D、凡是使还原态活度降低的，电位就升高
单选题煤被氧化后，其结焦性能（）。A提高B降低C不变D无法判断