容栅式电容位移传感器是在面积型电容位移传感器的基础上发展而成的一种新型电容位移传感器。可分为 ______ 和 ______ 两种。
耦合电容各连接处的金属接触面应除去氧化膜及油漆,并涂一层中性凡士林或复合脂。
护层保护器的氧化锌阀片由()组成。A、电感B、电容C、线性电阻D、非线性电阻
正负极板是由()组成。A、栅架、二氧化铅B、栅架、硫酸铅C、铅块、活性物质
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
从原理上看,容栅传感器是一种变()型电容传感器,容栅传感器分为长容栅和圆容栅,用于测量线位移和线速度。
长容栅的可动容栅栅极数增加,则其最大电容量()A、增大B、减小C、不变D、不能确定
在机车上常用的灭弧装置中,()装置是利用电容充、放电原理进行灭弧。A、角灭弧B、电磁灭弧C、电容灭弧D、栅片熄弧
在铅酸蓄电池中,正极板栅比负极板栅厚,原因之一是在充电时,特别是在过充电时,正极板栅要遭到腐蚀,逐渐被氧化成二氧化铅而失去板栅的作用,为补偿其腐蚀量必须加粗加厚正极板栅。
问答题为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序?
填空题从原理上看,容栅传感器是一种变()型电容传感器,容栅传感器分为长容栅和圆容栅,用于测量线位移和线速度。
判断题在铅酸蓄电池中,正极板栅比负极板栅厚,原因之一是在充电时,特别是在过充电时,正极板栅要遭到腐蚀,逐渐被氧化成二氧化铅而失去板栅的作用,为补偿其腐蚀量必须加粗加厚正极板栅。A对B错
单选题长容栅的可动容栅栅极数增加,则其最大电容量()A增大B减小C不变D不能确定
填空题由于栅氧化层中通常带()电荷,所以()型区比()型区更容易发生反型。
单选题绝缘栅双极晶体管属于()型器件。A电阻B电压C电流D电容
填空题开启电压(阈值电压)的高低与栅下半导体中的(),栅氧化层的()、()、()、()等有关。载流子浓度越高,开启电压的绝对值();栅氧化层厚度越厚,开启电压的绝对值()。
问答题试分析双电层电容为什么等于紧密层电容和分散层电容的串联?
填空题CMOS集成电路的栅氧化层要求:()。通常用()氧化降低其界面态密度,用()氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。