问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

问答题
简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

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二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。A、降低B、增加C、不变D、先降低后增加

当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。A、温度B、硅-二氧化硅界面处的化学反应C、氧的扩散速率D、压力

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单选题按国家职业卫生标准《工作场所有害因素职业接触限值》,硅尘是指怎样的粉尘?()A含有硅元素的粉尘B游离二氧化硅的粉尘C游离二氧化硅含量不少于10%的粉尘

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