问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。
问答题
简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。
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单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（） ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③
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