填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

填空题
在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

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简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
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反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
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干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
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根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
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在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
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下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
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微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
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问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
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单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
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问答题干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？
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判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错
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问答题列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。
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填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。
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问答题简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。
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问答题什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？
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问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点
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问答题干法刻蚀有高的还是低的选择比？
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问答题简述干法刻蚀的应用
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问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
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问答题什么是干法刻蚀？
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问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？
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填空题干法刻蚀适用于（） （粗/细）线条。
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问答题湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？
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判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A对B错
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判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A对B错
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问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。
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