干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。A、CHF3B、C2F6C、C3F8D、HF
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错
填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。
判断题与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。A对B错
问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A对B错
判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A对B错
问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。