下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

  • A、ARC可以是硅的氮化物
  • B、可用干法刻蚀除去
  • C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
  • D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
  • E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

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