判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。A对B错

判断题
干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。
A

B


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钢中大型夹杂物的尺寸( )。A.大于50微米B.大于100微米C.大于150微米D.100-150微米

干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么?

钢中大型夹杂物的尺寸()A、大于50微米B、大于100微米C、大于150微米D、100-150微米

钢中的大型夹杂物是指尺寸()的夹杂物A、大于10微米;B、大于100微米;C、大于200微米D、大于250微米

钢中大型夹杂物尺寸()。A、大于50微米B、大于100微米C、大于150微米

钢中大型夹杂物的尺寸是指()。A、大于50微米B、大于100微米C、大于150微米D、小于50微米

超精密加工包括了所有能使零件成形、位置和尺寸精度到微米和亚微米范围的机械加工方法。

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性

单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工

单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。A 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C 变成刻蚀介质以形成一个凹槽D 在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用

判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错

问答题简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。

问答题什么是干法刻蚀?干法有几种刻蚀方法?

判断题与干法刻蚀相比,湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设备简单。A对B错

填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是()、()和()。

判断题在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。A对B错

问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体?

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问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点

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问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点,干法刻蚀的不足之处是什么?

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判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A对B错

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