问答题什么是干法刻蚀？

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什么是干法刻蚀？

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简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
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干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
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根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
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在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
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不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。A、CHF3B、C2F6C、C3F8D、HF
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下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
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微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
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问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
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单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
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问答题干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？
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判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错
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问答题列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。
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填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。
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问答题简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。
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问答题什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？
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判断题与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。A对B错
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填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
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问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
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问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点
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问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
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问答题干法刻蚀有高的还是低的选择比？
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问答题简述干法刻蚀的应用
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问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
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问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？
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填空题干法刻蚀适用于（） （粗/细）线条。
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判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A对B错
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问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。
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