判断题大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。A对B错

判断题
大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
A

B


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刻蚀方法有哪些?() A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是

铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程?

反应离子腐蚀是()。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么?

刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以

()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间

刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案

在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻

微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。

硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()A、体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工

判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错

单选题无刻蚀镀铁是为了()而出现的镀铁新工艺。Ⅰ.提高镀铁质量;Ⅱ.发展镀铁工艺;Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点;Ⅳ.提高镀铁效率;Ⅴ.简化工艺。AⅠ+Ⅲ+ⅤBⅠ+Ⅳ+ⅤCⅡ+Ⅲ+ⅤDⅡ+Ⅳ+Ⅴ

问答题在STI的刻蚀工艺过程中,要注意哪些工艺参数?

填空题圆筒式等离子刻蚀的(),适用于()工艺;反应离子刻蚀,(),可以用通入不同的工艺气体,实现好的选择性,适合于对()和()的刻蚀。

填空题随着铜布线中大马士革工艺的引入,金属化工艺变成刻蚀()以形成一个凹槽,然后淀积()来覆盖其上的图形,再利用()把铜平坦化至ILD的高度。

填空题刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。

问答题简述IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程

填空题集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

判断题对于大马士革工艺,重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。A对B错

单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。Aa.体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工;Bb.体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工;Cc.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构;

问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点,干法刻蚀的不足之处是什么?

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