填空题随着铜布线中大马士革工艺的引入,金属化工艺变成刻蚀()以形成一个凹槽,然后淀积()来覆盖其上的图形,再利用()把铜平坦化至ILD的高度。

填空题
随着铜布线中大马士革工艺的引入,金属化工艺变成刻蚀()以形成一个凹槽,然后淀积()来覆盖其上的图形,再利用()把铜平坦化至ILD的高度。

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相关考题:

铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。

铜与铝相比较,其性质有()。A、铜的电阻率比铝小B、铝的熔点较高C、铝的抗电迁移能力较弱D、铜与硅的接触电阻较小E、铜可以在低温下淀积

综合型综合布线系统的主要特点是()。A、规模大B、智能化C、引入光缆D、有各种铜缆

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅

在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻

20世纪80年代,细菌浸铜的产业化取得了突破性进展,主要原因有()。A、陆续发现了一些高品位大储量的铜矿床B、全世界金属铜的水费量剧增C、用传统方法生产铜的许多矿山处于亏损状态D、从低浓度铜溶液中利用萃取-电积提铜工艺的发展及成熟,铜产品为电铜而不是以往的铜粉

一种特殊的工艺制品.在铜质的胎型上.用柔软的扁铜丝,掐成各种花纹焊上,然后把珐琅质的色釉填充在花纹内烧制而成。这种工艺品是()。A、景泰蓝B、彩陶C、琉璃D、铜鼎

皮肤金属化是电伤的一种。皮肤金属化后,表面的色泽和金属种类有关,铜导体形成的皮肤金属化呈()A、灰白色B、灰褐色C、淡绿色或黄褐色D、灰黄色

单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。A 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C 变成刻蚀介质以形成一个凹槽D 在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用

单选题综合型综合布线系统的主要特点是()。A规模大B智能化C引入光缆D有各种铜缆

判断题在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。A对B错

单选题一种特殊的工艺制品.在铜质的胎型上.用柔软的扁铜丝,掐成各种花纹焊上,然后把珐琅质的色釉填充在花纹内烧制而成。这种工艺品是()。A景泰蓝B彩陶C琉璃D铜鼎

判断题大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。A对B错

多选题20世纪80年代,细菌浸铜的产业化取得了突破性进展,主要原因有()。A陆续发现了一些高品位大储量的铜矿床B全世界金属铜的水费量剧增C用传统方法生产铜的许多矿山处于亏损状态D从低浓度铜溶液中利用萃取-电积提铜工艺的发展及成熟,铜产品为电铜而不是以往的铜粉

问答题列出并讨论引入铜金属化的五大优点。

单选题在较先进的集成电路制造工艺中,通常采()来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化

判断题在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错

填空题集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

判断题对于大马士革工艺,重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。A对B错

问答题为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。

单选题本流程清除少量CO+CO2选用甲烷化法,其原因中不正确的是()。A甲烷化法成本低,铜洗法成本高B甲烷化法工艺简单,铜洗法工艺复杂C铜洗法达不到合成原料气CO+CO2含量要求D甲烷化法操作方便,铜洗法操作复杂

问答题以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时,若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜,应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性?

问答题接地体(线)为铜与铜或铜与钢的连接工艺采用热剂焊(放热焊接)时,其熔接接头必须符合哪些规定?

单选题在大马士革铜工艺中,铜薄膜通常采用()方式获得。A物理气相沉积B化学气相沉积C电化学镀D热氧化

问答题从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类?

单选题在图形电镀制作双面孔化板的工艺流程中,孔金属化后的下一个工序应该是()。A图形转移B镀铜C镀铅锡D腐蚀