二极管的单向导电性是指:() A、外加正向电压导通，加反向电压截止。B、外加正向电压截止，加反向电压导通。C、外加正向电压导通，加反向电压导通。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。A.0.2B.0.4C.0.5D.0.7
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
当对半导体二极管外加正向电压时（），外加反向电压时（）。A、导通；导通B、导通；截止C、截止；导通D、截止；截止
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A1VB0.7VC0.3VD0.5V
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。