二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压小于PN结的死区电压 。 () 此题为判断题(对，错)。
二极管加正向电压时,这个电压只要大于死区电压,电流便很快增长,二极管导通,这时电阻很小,此为二极管的()。 A、稳压特性B、反向击穿C、反向特性D、正向特性
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。
硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。A、0VB、0.5VC、0.7V
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错
当反向电压小于击穿电压是二极管处于（）状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿
当二极管两端正向偏置电压大于（）电压时，二极管才能导通。A、击穿；B、饱和；C、门槛。
开关二极管加正向偏置电压时导通，正向电阻很小，加反向偏置电压时截止，反向电阻很大。（）
开关二极管加正向偏置电压导通，加反向偏置电压截止。
开关二极管和普通二极管的导电特性相同，即加正向偏置电压导通，正向电阻很小；加反向偏置电压截止，（）电阻很大。A、正向B、同步C、反向D、同向
对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）A、正向电阻很小B、反向电阻很大C、正向电压大于死区电压时才能导通D、反向电压多大都不会导通
当反向电压小于击穿电压时二极管处于（）状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）A、正向电压大于PN结的死区电压B、正向电压等于零C、必须加反向电压
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才能导通C、超过0.7伏才导通D、超过0.3伏才导通
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
二极管两端加上正向电压时（）。A、一定导通B、超过死区电压才能导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通
单选题对于二极管来说，以下说法错误的是（）。A正向电阻很小B反向电阻很大C无论加多大的反向电压，都不会导通D所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通
单选题当反向电压小于击穿电压时二极管处于（）状态。A死区B截止C导通D击穿
单选题对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）A正向电阻很小B反向电阻很大C正向电压大于死区电压时才能导通D反向电压多大都不会导通
单选题对于晶体二极管来说，以下说法错误的是（）。A正向电阻很小B无论加多大的反向电压，都不会导通C未被反向击穿前，反向电阻很大D所加正向电压大于死区电压时，二极管才算真正导通