离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。A、入射离子的能量B、入射离子的质量C、入射离子的原子序数D、靶原子的质量、原子序数、原子密度E、注入离子的总剂量
控制电子束能量密度的大小和（），就可以达到不同的加工目的。A、注入时间B、注入数量C、注入速度D、注入方向
对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结，通常采用（）A、离子注入法B、外延法C、激光法D、扩散法
判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A对B错
判断题离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A对B错
判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A对B错
判断题离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。A对B错
单选题控制电子束能量密度的大小和（），就可以达到不同的加工目的。A注入时间B注入数量C注入速度D注入方向
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A对B错
判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A对B错
判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。A对B错
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散
判断题离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。A对B错
判断题离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。A对B错