判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。A对B错

判断题
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
A

对

B

错

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以下有关晶闸管正确的叙述是()。 A、晶闸管属于3个区2个PN结的三端器件B、晶闸管属于3个区3个PN结的三端器件C、晶闸管属于4个区3个PN结的三端器件D、晶闸管属于4个区2个PN结的三端器件
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PN结加正向电压，则（）A、内电场增强B、PN结电阻呈现无穷大C、PN结变厚D、有利于多子的扩散
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PN结加反向电压，则（）A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散
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扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
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在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。A、推挤扩散B、杂质扩散C、填隙扩散D、自扩散
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在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散
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扩散工艺现在广泛应用于制作（）。A、晶振B、电容C、电感D、PN结
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关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A、空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
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集成电路中的元件具有以下特点（）。A、元件的性能一致B、对称性好C、不适于作差动放大电路D、制造三极管比制造电阻多用硅片E、电容是PN结的结电容
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对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
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PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
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制作太阳电池的工艺中不包括下列哪个方面（）。A、硅片表面准备B、制备防透膜C、去背结D、制结
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制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结，通常采用（）A、离子注入法B、外延法C、激光法D、扩散法
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涂层扩散法是用含有磷的溶液代替（）进行（）和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。
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单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）A、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B、表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D、表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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PN结中扩散电流的方向是：（），漂移电流的方向是（）。
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PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
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PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
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使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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变容二极管电容增加是由于（）引起的.A、PN结面积变小B、PN结尽区变窄C、扩散电流增加D、管脚接触电阻变大
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判断题离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A对B错
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单选题关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
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填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
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判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A对B错
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填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
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判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A对B错
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