对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。A、入射离子的能量B、入射离子的质量C、入射离子的原子序数D、靶原子的质量、原子序数、原子密度E、注入离子的总剂量

对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

  • A、入射离子的能量
  • B、入射离子的质量
  • C、入射离子的原子序数
  • D、靶原子的质量、原子序数、原子密度
  • E、注入离子的总剂量

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直接转换FPD利用的光导半导体材料是A、非晶硅B、非晶硒C、CslD、PSLE、非晶碳
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表示某制剂相对于所有非靶组织对靶组织的选择性的是靶向效率。( )此题为判断题(对，错)。
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直接转换FPD利用的光导半导体材料是A.非晶桂B.非晶砸C.CslD.PSLE.非晶碳
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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
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离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
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离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
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降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。A、增大B、减小C、不变D、变为0
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如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。A、单晶靶B、超晶靶C、多晶靶D、非晶靶
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为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。A、液氮冷阱B、净化阱C、抽气阱D、无气泵
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对于焊接熔池结晶来讲，（）晶核起着重要作用。A、自发B、非自发C、柱状晶
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对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
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矿物的晶簇有（）与非晶质体。
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龟甲是（）A、非晶质B、非均质C、晶质
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对于焊接熔池结晶来讲，（）晶核起着主要作用。A、自发B、非自发C、柱状晶D、等轴晶
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多选题DR使用过的平板探测器材质是（）A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅
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单选题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。A 电活性B 晶格损伤C 横向效应D 沟道效应
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单选题GE悬吊无线平板探测器材质是（）A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅DCCD
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单选题Siemens Inspiration探测器的材质（）A非晶硅碘化铯B非晶硒C晶体硅碘化铯D非晶硅硫氧化钆
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填空题焊接熔池的结晶形态主要取决于液相的（）。随它的增大，依次出现平面晶、胞状晶、胞状树枝晶、树枝晶和（）晶等结晶形态。
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单选题关于探测器说法，不正确的是（　　）。A非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E图像持留时间限制了图像的采集速度，这对全自动曝光技术带来了负面效应
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单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。A非晶硅-非晶硒-CCDBCCD-非晶硅-非晶硒C非晶硒-非晶硅-CCDD非晶硅-CCD-非晶硒ECCD-非晶硒-非晶硅
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多选题磁性非晶合金可以从化学成分上分为下列几类（）；A铁基非晶B铁镍基非晶C钴基非晶D铁基纳米晶E锌纳米晶
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多选题GE最高端数字乳腺机的特点（）A钼铑双靶B碘化铯非晶硅平板CAOP低剂量曝光模式
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单选题Pristina探测器的材质（）A非晶硅碘化铯B非晶硒C晶体硅碘化铯D非晶硅硫氧化钆
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单选题Hologic Selenia Dimensions探测器的材质（）A非晶硅碘化铯B非晶硒C晶体硅碘化铯D非晶硅硫氧化钆
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问答题简述离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点。
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判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。A对B错
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