制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结，通常采用（）A、离子注入法B、外延法C、激光法D、扩散法

制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结，通常采用（）

  • A、离子注入法
  • B、外延法
  • C、激光法
  • D、扩散法

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硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
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商品太阳能电池组件中占主导地位的是()太阳能电池. A.晶体硅B.非晶硅C.单晶硅D.多晶硅
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以晶体硅材料为基础秤的太阳能电池包括()。 A.单晶硅太阳能电池B.多晶硅太阳能电池C.非晶硅太阳能电池
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迄今为止,人们已研究了100多种不同材料、不同结构、不同用途和不同形式的太阳能电池,按材料可分为()等。 A.同质结太阳能电池B.异质结太阳能电池C.肖特基结太阳能电池D.复合结太阳能电池
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硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
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由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型
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P-N结是什么？
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子
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非晶硅太阳能电池中，进行光电转化的是什么层（）。A、I层B、P层C、N层D、P-I-N层
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太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为（）。A、耗尽区B、N区C、P-N结D、P区
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非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种？（）A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
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异质结太阳能电池的结构是在P型基片上，覆盖一层n型顶区层，两者的交界面构成一个异质结，然后在顶区层下面制作栅状金属电场，正背制作底面金属电极。
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硅太阳能电池一般制成p+/n型结构或n+/P型结构。
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以晶体硅材料为基础秤的太阳能电池包括（）。A、单晶硅太阳能电池B、多晶硅太阳能电池C、非晶硅太阳能电池
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商品太阳能电池组件中占主导地位的是（）太阳能电池．A、晶体硅B、非晶硅C、单晶硅D、多晶硅
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迄今为止，人们已研究了100多种不同材料、不同结构、不同用途和不同形式的太阳能电池，按材料可分为（）等。A、同质结太阳能电池B、异质结太阳能电池C、肖特基结太阳能电池D、复合结太阳能电池
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晶体硅太阳能电池
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使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。
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使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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可控硅比普通半导体多一个（）A、N极B、P极C、控制极D、PN结
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单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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填空题浅结制备的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型浅结比（）型浅结更难制备。P型浅结常用（）、（）、（）来获得。
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问答题异质结太阳能电池通常采用什么样的结构？为什么？
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单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）AP沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管BP沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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单选题商品太阳能电池组件中占主导地位的是（）太阳能电池．A晶体硅B非晶硅C单晶硅D多晶硅
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问答题试比较p-n结和肖特基结的主要异同点。
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