在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关
问答题掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A扩散B化学机械抛光C刻蚀D离子注入
问答题埋层有什么作用？说明埋层与衬底掺杂类型、掺杂浓度之间的关系。
问答题掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A对B错
判断题离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A对B错
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A 温度越高，掺杂越快B 温度越低，掺杂越快C 温度恒定，掺杂最快D 掺杂快慢与温度无关
填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
判断题在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。A对B错
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散
填空题由点缺陷（肖特基和弗兰克尔缺陷）引起的扩散为（）扩散，空位来源于掺杂而引起的扩散为（）扩散。