离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
问答题简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
判断题离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。A对B错
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散
问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。