加醋 酸后晶体溶解，并产生气泡()。A.草酸钙晶体B.碳酸钙晶体C.淀粉粒D.硅质块E.糊粉粒
硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。
锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。
简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型
晶闸管是硅晶体闸流管的简称，它能以较小的电流控制上千安的电流和数千伏的电压，是一种大功率的半导体可控器件，它包括有（）晶体闸流管、（）硅晶闸管、（）硅晶闸管及（）晶闸管等。
一般常见铝合金铸件组织结构是由（）组成的。A、单晶体B、元素C、初晶硅D、多晶体
中晶体硅或锗中，参与导电的是（）A、离子B、自由电子C、空穴D、B和C
（）加醋酸后晶体溶解，并产生气泡。A、草酸钙晶体B、碳酸钙晶体C、淀粉粒D、硅质块E、糊粉粒
锗晶体和硅晶体外围有四个电子，可形成（）。A、共价键B、金属键C、离子键D、氢键
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
半导体锗和硅都是晶体结构，所以半导体管又称为晶体管。
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性
关于晶体三极管的漏电流。相同功率的着管漏电流大于硅管。
单选题由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A“M”型B“N”型C“L”型D“P”型E“F”型
单选题中晶体硅或锗中，参与导电的是（）A离子B自由电子C空穴DB和C
填空题晶闸管是硅晶体闸流管的简称，它能以较小的电流控制上千安的电流和数千伏的电压，是一种大功率的半导体可控器件，它包括有（）晶体闸流管、（）硅晶闸管、（）硅晶闸管及（）晶闸管等。
单选题由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A“M”型B“N”型C“L”型D“P”型E“F”型
单选题晶体硅或锗中，参与导电的是（）。A离子B自由电子C空穴DB和C
填空题碳、硅与氧形成的化合物的化学式分别为____、____，其晶体俗称____、____．它们是____晶体和____晶体，前者熔点____，后者熔点____．
单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A硅晶体的压阻效应B硅晶体的扩散效应C硅晶体的应变效应D硅晶体的半导体特性