关于晶体三极管的漏电流。相同功率的着管漏电流大于硅管。

关于晶体三极管的漏电流。相同功率的着管漏电流大于硅管。


相关考题:

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

晶体三极管基极电流有一小的变化,将引起集电极电流较大的变化,所以晶体三极管具有( )放大作用,其放大倍数为△Ic/△Ib=βA.电压B.电流C.功率D.能量

场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

关于X线管的阳极特性,错误的是A.灯丝加热为定值时,管电压增加,管电流增加B.管电压增高,空间电荷减少,管电流减小C.管电压相同,灯丝电流增加,管电流增加D.管电压相同,灯丝电流增加,管电流减小E.管电流相同,管电压高的灯丝加热电流低

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

要使硅稳压管正常工作,稳压电路的输入电压必须大于硅稳压管的稳定电压,流过硅稳压管的电流必须小于其最大稳定电流。

硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。

MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。

功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

晶体三极管是()控制元件。A、线性B、电压C、电流D、功率

晶体三极管基极电流有一小的变化,将引起集电极电流较大的变化,所以晶体三极管具有()放大作用,其放大倍数为ΔIC/ΔIB=β。A、电压B、电流C、功率D、能量

晶体三极管属于()控制型。A、可逆B、功率C、电压D、电流

关于X线球管的特性,错误的是()A、灯丝加热为定值时,管电压增加,管电流增加B、管电压增高,空间电荷减少,管电流减小C、管电压相同,灯丝电流增加,管电流增加D、管电压相同,灯丝电流增加,管电流减小E、管电流相同,管电压高的灯丝加热电流低

场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压

场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

电流表法测量液压系统内漏的理论依据()A、内漏导致的电动泵输入功率的增量等于电压与电流的乘积B、内漏导致的电动泵输入功率等于电压与电流的乘积C、内漏导致的电动泵输入功率的增量等于电压与电流增量的乘积D、内漏导致的电动泵输入功率等于电压与电流增量的乘积

关于晶体管反向漏电流,以下说法正确是()。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管

场效应晶体管的主要参数有()A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流

关于晶体三极管的漏电流,以下说法正确的是()。A、相同功率的锗管漏电流大于硅管B、NPN管漏电流小于PNP管C、电压升高一倍漏电流增大一倍D、NPN管漏电流大于PNP管

关于晶体管的反向漏电流,相同功率的锗管反向漏电流大于()反向漏电流。

判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错

单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压

多选题功率MOSFET的极限参数指的是()。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压

多选题关于X线球管的特性,错误的是( )A灯丝加热为定值时,管电压增加,管电流增加B管电压增高,空间电荷减少,管电流减小C管电压相同,灯丝电流增加,管电流增加D管电压相同,灯丝电流增加,管电流减小E管电流相同,管电压高的灯丝加热电流低

单选题场效应管是以()控制漏极电流ID。AUDGBUDSCUGSDIGS