从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
ZCZ系列晶体二极管是用硅材料做的,主要用于整流。() 此题为判断题(对，错)。
晶体二极管的主要特性参数有：①最大正向电流；②反向电流；③反向×××电压。
10、常用硅材料做半导体器件是因为（）。A．硅的原子序数比锗小B．硅的导电性能比锗好C．硅的导电性能受温度影响比锗小D．硅二极管的导通电压比锗大
当硅二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）A．小阻值电阻B．阻值很大的电阻C．内部短路D．内部断路
当锗晶体二极管加上0.3V正向电压时，该管的状态为A．导通B．截止C．放大D．饱和