制作晶体三极管的材料有铅和硅。此题为判断题(对，错)。
晶体三极管的主要参数有()。 A.电流放大倍数B.反向饱和电流C.最高频率D.穿透电流
晶体三极管的()无法用万用表测试。 A、电流放大倍数B、穿透电流C、截止频率D、晶体管的管型
常用晶体三极管有硅管和()两种。 A、铅管B、锗管C、锡管D、铜管
硅管和锗管是两种不同材料的晶体三极管。晶体三极管的排列方式分为()和()。
在选择晶体三极管时,通常要求选用管子的穿透电流()越好。 A.越大B.越小C.无穷大为好D.为零为好
锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。
今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为4V、3.4V和9V，说明这个晶体三极管是NPN型硅管。
常温下，硅晶体三极管的UBE 约为0.7V，且随温度升高而减小。（）
下列（）不是晶体三极管的主要参数。A、集电极最大允许电流ICmB、集电极最大允许功率损耗C、穿透电流D、触发电压
晶体三极管的穿透电流Iceo是指在基极开路时，集电极与发射极之间的（）电流。
晶体三极管按制造材料不同分为硅三极管和（）三极管两大类。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
常用晶体三极管有硅管和（）。A、铅管B、鍺管C、锡管D、铜管
在选择晶体三极管时，通常要求选用管子的穿透电流（）越好。A、越大B、越小C、无穷大为好D、为零为好
晶体三极管的穿透电流越大说明管子的温度稳定性越差。
工作在放大状态的晶体三极管，流过发射结的电流主要是（）A、漂移电流B、复合电流C、穿透电流D、扩散电流
晶体三极管的主要参数有（），集电极最大允许耗散功率。A、电流放大系数B、穿透电流C、集电极最大允许电流D、集射极反向击穿电压
关于晶体三极管的漏电流。相同功率的着管漏电流大于硅管。
下列中（）不是晶体三极管的主要参数。A、集电极最大允许电流ICMB、集电极最大允许轴功率损耗C、穿透电流D、触发电压
单选题穿透电流是表征三极管性能的重要参数，其大小可以用万用表的欧姆档来测量。以NPN管为例，用黑表笔接集电极，红表笔接发射极，看指针偏转的大小。指针偏转的越大（）。A穿透电流也越大，三极管的性能越稳定B穿透电流也越大，三极管的性能不稳定C穿透电流也越小，三极管的性能越稳定D穿透电流也越小，三极管的性能不稳定
单选题晶体三极管3DG12的材料和极性是（）APNP型，锗材料BNPN型，锗材料CPNP型，硅材料DNPN型，硅材料
单选题某国产晶体三极管型号为3DG6，则该管是（）A高频小功率NPN型硅三极管B高频大功率NPN型硅三极管C高频小功率PNP型锗三极管D高频大功率PNP型锗三极管