NPN晶体管是由硅材料制成。

NPN晶体管是由硅材料制成。


相关考题:

3AX31三极管属于()型三极管。 A、PNP型锗材料B、NPN型锗材料C、PNP型硅材料D、NPN型硅材料

3DG6三极管的制作材料、类型是()。 A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型

NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止

NPN型和PNP型晶体管的区别是()。 A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同

测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、- 2.2V,则该管为()。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管

3AX81三极管的制作材料、类型分别是()A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型

PNP晶体管是由锗材料制成。

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V,则该三极管的类型为()。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型

目前我国生产的NPN结构形式的晶体管多为()管。A、硅B、锗C、稳压D、整流

一只三极管型号为3DG130C,它表示()。A、PNP型硅材料高频小功率三极管B、NPN型硅材料高频小功率三极管C、PNP型硅材料低频小功率三极管D、NPN型硅材料低频小功率三极管

E型热电偶是由()。A、镍铬-镍硅两种材料制成的,其中负极是镍硅B、镍铬-镍铜两种材料制成的,其中负极是镍铜C、镍铬-镍铝两种材料制成的,其中负极是镍铝D、铜-铜镍两种材料制成的,其中负极是铜镍[T/]

硅NPN型高频小功率极管3DG4D,其中G代表()。A、三极管B、NPN硅材料C、高频小功率管D、序号

3BX31是()三极管。A、硅材料PNP型B、硅材料NPN型C、锗材料PNP型D、锗材料NPN型

3AD18A、表示()A、NPN型锗材料高频小功率三极管;B、PNP型锗材料低频大功率三极管;C、NPN型硅材料低频小功率三极管;D、NPN型硅材料高频小功率三极管

国产晶体管3DG系列表示()。A、硅材料NPN型高频小功率三极管B、锗材料PNP型高频大功率三极管C、硅材料NPN型低频小功率三极管D、锗材料PNP型低频大功率三极管

根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

晶体管符号中,箭头朝内者,表示它是()。A、硅管;B、锗管;C、NPN管;D、PNP管。

已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为()A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管

NPN型和PNP型晶体管的区别是()A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同

已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V,则该管为()A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管

根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管不是()A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管

三极管3AC30C其中AC含义正确的是()。A、NPN型硅材料,低频大功率管B、NPN型锗材料,高频大功率管C、PNP型硅材料,高频大功率管D、PNP型锗材料,高频大功率管

晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。A、NPN型晶体管;B、PNP型晶体管;C、硅管;D、锗管。

判断题PNP晶体管是由锗材料制成。A对B错

判断题NPN晶体管是由硅材料制成。A对B错

单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V,则该三极管的类型为()。A硅PNP型B硅NPN型C锗PNP型D锗NPN型