硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。
硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。
相关考题：
设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（ ）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
某晶体管的三个电极电位分别为+2.1V，+1.4V，+1.6V，则该晶体管是（)。A．工作在放大区的NPN硅管B．工作在饱和区的NPN硅管C．工作在截止区的NPN硅管D．工作在饱和区的PNP锗管
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。