硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。

硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。


相关考题:

设所有的二极管X晶体管为硅管,二极管正向压降为0.3V,晶体管发射结导通压降UBE=0.7V,则图中各晶体管的工作状态正确的是(  )。 A. VT1饱和,VT2饱和 B. VT1截止,VT2饱和 C. VT1截止,VT2放大 D. VT1放大,VT2放大

硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。

2、NPN型晶体管饱和导通后,晶体管的输出电压等于()。A.0.3VB.0.5VC.0.7VD.电源电压

某晶体管的三个电极电位分别为+2.1V,+1.4V,+1.6V,则该晶体管是()。A.工作在放大区的NPN硅管B.工作在饱和区的NPN硅管C.工作在截止区的NPN硅管D.工作在饱和区的PNP锗管

2、NPN型硅晶体管工作于饱和状态时,集射之间的电压近似等于 。A.0.5VB.0.7VC.0.2VD.0.3V

测量某硅晶体管各电极对地的电压值为:VC=6V,VB=2V,VE=1.3V。则管子工作在饱和区

NPN型硅晶体管工作于饱和状态时,集射之间的电压近似等于 。A.0.5VB.0.7VC.0.2VD.0.3V

某晶体管工作在放大状态,测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.3V,则该管为 ()。A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管

3、硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。